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实验室在二维半导体可编程单边整流器研究中取得进展

发布者:于坤发布时间:2021-02-07浏览次数:284

近日,我院夏从新、刘玉芳团队与中科院半导体所/华南师范大学李京波团队合作,以3499cc拉斯维加斯为第一单位在国际知名ESI物理类期刊《Advanced Science》(IF=15.84)上发表了题为“Reversible Half Wave Rectifier Based on 2D InSe/GeSe Heterostructure with Near-Broken Band Alignment”的研究论文,我院青年教师闫勇为该论文第一作者。

由于二维材料具有独特物理性质,通过能带设计可以获得各种新型器件。本文设计了一种接近裂隙型(Near-broken)能带排列类型的异质结,结合二维材料非常容易实现栅极静电掺杂的优势,构筑了新型可编程单边整流器。通过栅极电压调控,可以实现器件电流在复合机制和隧穿机制之间转换,以实现输出信号方向和幅度的调节。本文采用基于GeSeInSe范德华异质结证实了可逆的正向到反向整流性能,模拟了交直流转换的效果。此项研究成果将为未来换流电路的简化提供一条可能的途径,在新型二维半导体器件领域具有潜在的应用价值。

本研究得到了国家自然科学基金、3499cc拉斯维加斯青年培育基金、河南省科技攻关、珠江创新团队等项目支持。

文章链接:https://doi.org/10.1002/advs.201903252

                                             (物理学院 张浩兴  闫勇)


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